Intel Foundry und ASML: High-NA-EUV in der Massenfertigung und Weg hin zu 6x12

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Auf der "SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography"-Konferenz in dieser Woche werden Intel Foundry und ASML über den Einsatz von High-NA EUV in der Massenfertigung von Chips referenzieren. Mit Intel 18A hat der Chipriese für einige Lagen der Core-Ultra-3-Prozessoren (Panther Lake) die Belichtung mittels High-NA EUV bereits im Einsatz. Seitens ASML verwendet werden Scanner der TWINSCAN-EXE-5000-Familie.

Wer sich ausführlich mit den Chancen und Risiken von High-NA EUV auseinandersetzen möchte, findet bei uns einen ausführlichen Artikel dazu.

Aktuell verwendet Intel noch Fotomasken mit einer Größe von 6 x 6 Zoll. Diese fertigt Intel selbst und die Fotomasken sind ein zentraler Baustein in der Fertigung moderner Chips. Bei einer Größe von 6 x 6 Zoll setzt Intel dabei auf eine versetzte Belichtung, sodass die finalen Strukturen in mehreren Durchgängen hergestellt werden. Das Process Design Kit (PDK) bildet dies entsprechend ab und Intel sieht "vergleichbare Schichten mit Muster" wie bei der traditionellen Belichtung mit einer numerischen Apertur von 0,33.